IGBT吸收薄膜電容  

   廣泛應用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、變頻器、太陽能發(fā)電、感應加熱電源等領域。

       應用特點：                                     

　　有雙面金屬化薄膜、無感結構、低等效串聯(lián)電感，可承受較高的du/dt 能承受高脈沖電，ESR小，具有自愈性。適用所有IGBT模塊區(qū)域尖峰電壓的吸收保護。

       產品參數(shù)：

　　額定電壓 700V.DC~3000V.DC

　　額定容量 0.0047μF~10μF

　　溫度范圍 -40°C~85°C

　　容量偏差 ±5%, ±10%

　　極間耐電壓 2Ur(DC) 10s 25±5℃

　　極殼耐電壓 3000V 50Hz 60S, 25±5℃

　　損耗角正切 Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4，Cr>1.0μF tgδ≤6×10-4

　　絕緣電阻 C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S

　　預期壽命 100000h at Ur and 70℃ 

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     超高壓大電流脈沖薄膜電容

      廣泛應用于新能源電動汽車、電機驅動、牽引、太陽能風力發(fā)電等領域。

　　應用特點：

　　1、可靠性高，能承受大波紋電流。

　　2、具有良好的自愈特性和溫度穩(wěn)定性；

　　3、最高電壓可達100KV。

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